SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Dual P-Seanal 30V AEC-Q101 barrantaichte
♠ Tuairisgeul toraidh
| Feartan toraidh | Luach gnè |
| Dèanadair: | Vishay |
| Roinn-seòrsa toraidh: | MOSFET |
| Teicneòlas: | Si |
| Stoidhle stàladh: | SMD/SMT |
| Pasgan / Cùis: | Cumhachd PAK-SO-8-4 |
| Polarity transistor: | P-Seanal |
| Àireamh de shianalan: | 2 Seanail |
| Vds - Voltage Briseadh sìos an Drain: | 30 V |
| Id - Drèanadh leantainneach an-dràsta: | 30 A |
| Rds On - A’ cur an-aghaidh stòr drain: | 14 mum |
| Vgs - Voltage Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltage Gate-Source Threshold: | 2.5 v |
| Qg - Cìs geata: | 50 nc |
| Teòthachd obrachaidh as ìsle: | — 55 c |
| Teòthachd obrachaidh as àirde: | + 175 C |
| Pd - Sgaoileadh cumhachd: | 56 W |
| Modh seanail: | Àrdachadh |
| Teisteanas: | AEC-Q101 |
| Ainm malairt: | TrenchFET |
| Pacadh: | Ruidhle |
| Pacadh: | Teip air a ghearradh |
| Pacadh: | Ruidhle na Luiche |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| rèiteachadh: | Dual |
| Àm tuiteam: | 28 ns |
| Seòrsa toraidh: | MOSFET |
| Ùine àrdachadh: | 12 ns |
| Sreath: | SQ |
| Meud pacaid factaraidh: | 3000 |
| Fo-roinn: | MOSFETan |
| Seòrsa transistor: | 2 P-Seanal |
| Àm dàil tionndaidh àbhaisteach: | 39 ns |
| Àm dàil tionndaidh àbhaisteach: | 12 ns |
| Pàirt # Ailias: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Cuideam aonad: | 0.017870 oz |
• Halogen-asgaidh A rèir IEC 61249-2-21 Mìneachadh
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 barrantaichte
• 100 % Rg agus UIS air a dhearbhadh
• A' cumail ri Stiùireadh RoHS 2002/95/EC
