Transistors bipolar MBT3904DW1T1G - BJT 200mA 60V dùbailte NPN
♠ Tuairisgeul toraidh
| Feartan toraidh | Luach gnè |
| Dèanadair: | aon |
| Roinn-seòrsa toraidh: | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS: | Mion-fhiosrachadh |
| Stoidhle stàladh: | SMD/SMT |
| Pasgan / Cùis: | SC-70-6 |
| Polarity transistor: | NPN |
| rèiteachadh: | Dual |
| Neach-cruinneachaidh - Voltage Emitter VCEO Max: | 40 V |
| Neach-cruinneachaidh - Voltage VCBO: | 60 V |
| Emitter - Voltage Bunaiteach VEBO: | 6 v |
| Voltage saturation Collector-Emitter: | 300 mV |
| Neach-cruinneachaidh DC as àirde an-dràsta: | 200 mA |
| Pd - Sgaoileadh cumhachd: | 150 mW |
| Faigh Bathar Bandwidth fT: | 300 MHz |
| Teòthachd obrachaidh as ìsle: | — 55 c |
| Teòthachd obrachaidh as àirde: | + 150 C |
| Sreath: | MBT3904DW1 |
| Pacadh: | Ruidhle |
| Pacadh: | Teip air a ghearradh |
| Pacadh: | Ruidhle na Luiche |
| Brand: | aon |
| Neach-cruinneachaidh leantainneach an-dràsta: | — 2 A |
| Neach-cruinneachaidh DC/Buannachd Bunait hfe Min: | 40 |
| Àirde: | 0.9 mm |
| Fad: | 2 mm |
| Seòrsa toraidh: | BJTs - Transistors Bipolar |
| Meud pacaid factaraidh: | 3000 |
| Fo-roinn: | Transistors |
| Teicneòlas: | Si |
| Leud: | 1.25 mm |
| Pàirt # Ailias: | MBT3904DW1T3G |
| Cuideam aonad: | 0.000988 oz |
• hFE, 100−300 • ìosal VCE(sat), ≤ 0.4 V
• A' sìmpleachadh dealbhadh cuairte
• A' lùghdachadh farsaingeachd a' Bhùird
• Lùghdaich an àireamh de cho-phàirtean
• Ri fhaotainn ann an 8 mm, 7−inch/3,000 Aonad Teip agus Ruidhle
• Ro-leasachan S agus NSV airson Iarrtasan Carbaid is Eile a dh’ fheumas Riatanasan Atharrachadh Làrach is Smachd gun samhail;AEC−Q101 barrantaichte agus comasach PPAP
• Tha na h-innealan sin gun Pb−Free, gun Halogen/BFR an-asgaidh agus a’ gèilleadh ri RoHS
